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led灯芯片你了解多少?

变宝网05月22日讯

led灯芯片是一种固态的半导体器件,LED的心脏是一个半导体的晶片,晶片的一端附在一个支架上,一端是负极,另一端连接电源的正极,使整个晶片被环氧树脂封装起来。下面随小编去了解下led灯芯片吧。

一、led灯芯片尺寸

大功率LED芯片有尺寸为38*38mil,40*40mil,45*45mil等三种当然芯片尺寸是可以订制的,这只是一般常见的规格。mil是尺寸单位,一个mil是千分之一英寸。40mil差不多是1毫米。38mil,40mil,45mil都是1W大功率芯片的常用尺寸规格。理论上来说,芯片越大,能承受的电流及功率就越大。不过芯片材质及制程也是影响芯片功率大小的主要因素。例如CREE40mil的芯片能承受1W到3W的功率,其他厂牌同样大小的芯片,最多能承受到2W。

led灯芯片你了解多少?

二、led灯芯片特点

(1)四芯片,采用MOVPE工艺制备,亮度相对于常规芯片要亮。

(2)信赖性优良。

(3)应用广泛。

(4)安全性高。

(5)寿命长。

三、led灯芯片分类

MB芯片

定义:MB芯片﹕MetalBonding(金属粘着)芯片﹔该芯片属于UEC的专利产品

特点:1、采用高散热系数的材料---Si作为衬底﹐散热容易.

ThermalConductivity

GaAs:46W/m-K

GaP:77W/m-K

Si:125~150W/m-K

Cupper:300~400W/m-k

SiC:490W/m-K

2、通过金属层来接合(waferbonding)磊晶层和衬底,同时反射光子,避免衬底的吸收.

3、导电的Si衬底取代GaAs衬底,具备良好的热传导能力(导热系数相差3~4倍),更适应于高驱动电流领域。4、底部金属反射层﹐有利于光度的提升及散热

5、尺寸可加大﹐应用于Highpower领域﹐eg:42milMB

GB芯片

定义:GB芯片﹕GlueBonding(粘着结合)芯片﹔该芯片属于UEC的专利产品

特点:1﹕透明的蓝宝石衬底取代吸光的GaAs衬底﹐其出光功率是传统AS(Absorbablestructure)芯片的2倍以上﹐蓝宝石衬底类似TS芯片的GaP衬底.

2﹕芯片四面发光﹐具有出色的Pattern图

LED芯片

LED芯片

3﹕亮度方面﹐其整体亮度已超过TS芯片的水平(8.6mil)

4﹕双电极结构﹐其耐高电流方面要稍差于TS单电极TS芯片定义和特点

TS芯片

定义:TS芯片﹕transparentstructure(透明衬底)芯片﹐该芯片属于HP的专利产品。

特点:1.芯片工艺制作复杂﹐远高于ASLED

2.信赖性卓越

3.透明的GaP衬底﹐不吸收光﹐亮度高

4.应用广泛

AS芯片

定义:AS芯片﹕Absorbablestructure(吸收衬底)芯片﹔经过近四十的发展努力﹐台湾LED光电业界对于该类型芯片的研发﹑生产﹑销售处于成熟的阶段﹐各大公司在此方面的研发水平基本处于同一水平﹐差距不大.大陆芯片制造业起步较晚﹐其亮度及可靠度与台湾业界还有一定的差距﹐在这里我们所谈的AS芯片﹐特指UEC的AS芯片﹐eg:712SOL-VR,709SOL-VR,712SYM-VR,709SYM-VR等

特点:1.四芯片﹐采用MOVPE工艺制备﹐亮度相对于常规芯片要亮

2.信赖性优良

3.应用广泛

芯片种类

1、LPE:LiquidPhaseEpitaxy(液相磊晶法)GaP/GaP

2、VPE:VaporPhaseEpitaxy(气相磊晶法)GaAsP/GaAs

3、MOVPE:MetalOrganicVaporPhaseEpitaxy(有机金属气相磊晶法)AlGaInP、GaN

4、SH:GaAlAs/GaAsSingleHeterostructure(单异型结构)GaAlAs/GaAs

5、DH:GaAlAs/GaAsDoubleHeterostructure,(双异型结构)GaAlAs/GaAs

6、DDH:GaAlAs/GaAlAsDoubleHeterostructure,(双异型结构)GaAlAs/GaAlAs

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